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产品信息
技术: | Si | |
安装风格: | SMD/SMT | |
封装 / 箱体: | SOT-23-3 | |
通道数量: | 1 Channel | |
晶体管极性: | N-Channel | |
Vds-漏源极击穿电压: | 30 V | |
Id-连续漏极电流: | 3.6 A | |
Rds On-漏源导通电阻: | 49 mOhms | |
Qg-栅极电荷: | 4.5 nC | |
封装: | Reel | |
商标: | Vishay Semiconductors | |
配置: | Single | |
Pd-功率耗散: | 1.7 W | |
产品: | MOSFET Small Signal | |
系列: | SI2 | |
工厂包装数量: | 3000 | |
商标名: | TrenchFET | |
晶体管类型: | 1 N-Channel | |
零件号别名: | SI2304DDS-GE3 | |
单位重量: | 1.438 g |